Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
transistor à effet de champ à grille de silicium isolée — lauko tranzistorius su izoliuota silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon insulated gate FET; silicon insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Si Gate, m rus. полевой… … Radioelektronikos terminų žodynas
transistor MOS à grille de silicium — MOP tranzistorius su silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS transistor vok. Siliziumgate MOS Transistor, m rus. МОП транзистор с кремниевым затвором, m pranc. transistor MOS à grille de silicium, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Silicium polycristallin — Le silicium polycristallin, aussi couramment appelé polysilicium ou poly Si est une forme particulière du silicium, qui se différencie du silicium monocristallin et du silicium amorphe. Contrairement au premier (composé d un seul cristal) et au… … Wikipédia en Français
grille de nitrure de silicium — silicio nitridu izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon nitride gate vok. Siliziumnitridgate, n rus. затвор с нитридом кремния, m pranc. grille de nitrure de silicium, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde — Photographie représentant deux MOSFET … Wikipédia en Français
Transistor a effet de champ a grille metal-oxyde — Transistor à effet de champ à grille métal oxyde Un transistor à effet de champ (à grille) métal oxyde est un type de transistor à effet de champ ; on utilise souvent le terme MOSFET, acronyme anglais de metal oxide semiconductor field… … Wikipédia en Français
Transistor bipolaire a grille isolee — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Transistor bipolaire à grille isolée — Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement … Wikipédia en Français
Dioxyde de silicium — Général Nom IUPAC Dioxyde de silicium Synonymes Silice No CAS Quartz … Wikipédia en Français
transistor à effet de champ de silicium à grille Schottky — silicio Šotkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. Schottky barrier silicon field effect transistor vok. Schottky Barriere Silizium Feldeffekttransistor, m rus. кремниевый полевой транзистор Шотки, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
